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2N7002BKS,115中文资料60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET数据手册恩XP规格书
2N7002BKS,115规格书详情
描述 Description
General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET echnology.Features and benefits
● Logic-level compatible
● Very fast switching
● Trench MOSFET technology
● ESD protection up to 2 kV
● AEC-Q101 qualified
应用 Application
● Relay driver
● High-speed line driver
● Low-side loadswitch
● Switching circuits
技术参数
- 型号：
2N7002BKS,115
- 功能描述：
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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