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2N7002BKS,115

60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET

General description\nDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET echnology.Features and benefits\n● Logic-level compatible\n● Very fast switching\n● Trench MOSFET technology\n● ESD prote

恩XP

恩XP

2N7002DW-7-F

SOT363

DIODES/美台

2N7002DWH6327

SOT363

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市英科美电子有限公司

INFINEON/英飞凌

2N7002ET1G

SOT-23(SOT

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

2N7002ET1G

SOT-23

ON

详细参数

  • 型号:

    2N7002BKS,115

  • 功能描述:

    MOSFET Single N-Channel 60V 300mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N7002BKS,115供应商 更新时间2026-2-10 9:04:00