TrenchMOS™ logic level FET

Description\nN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. ■ Logic level compatible\n■ Subminiature surface mount package\n■ Very fast switching\n■ Gate-source ESD protection diodes.Applications\n■ Relay driver\n■ High speed line driver.Quick reference data\n■ VDS ≤ 60 V\n■ Ptot ≤ 0.83 W\n■ ID ≤ 340 mA\n■ RDSon ≤ 3.9 Ω.;

恩XP

SOT23

DIODES

美台半导体

上传：深圳市凌科芯源科技有限公司

SOT-23-3

DIODES(美台)

上传：中天科工半导体（深圳）有限公司

DIODES(美台)

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SOT-23

DIODES/美台

上传：美源芯科（深圳）电子科技有限公司