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2N705	文件：245.31 Kbytes Page：3 Pages	silicon transistors UHF/VHF power transistors silicon transistors UHF/VHF power transistors NPN type germanium transistors diffused-base MESA transistors ultra-high-speed switching 文件：245.31 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N705	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N705	文件：135.36 Kbytes Page：2 Pages	PNP germanium mesa transistor for high-speed switching applications .. 文件：135.36 Kbytes 页数：2 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
2N7051	文件：27.62 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN Darlington Transistor • This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage. • Sourced from Process 06. • See 2N7052 for Characteristics. 文件：27.62 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7052	文件：42.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：42.72 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7052	文件：86.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：86.1 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N7053	文件：92.83 Kbytes Page：1 Pages	NPN DARLINGTON TRANSISTOR NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：92.83 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N7053	文件：86.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：86.1 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N7053	文件：42.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：42.72 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2N7055	文件：248.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Drain Current: ID= 33A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ (Max) • Fast Switching • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • High efficiency 文件：248.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N705
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
ASZ21,2N960,2N961,2N962,2N963,2N964,2N965,2N966,2N967,3AG87A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
D-8
vtest：
15
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Darlington Transistor
Polarity：
Type：
VCE(sat) Max (V)：
IC Continuous (A)：
V(BR)CEO Min (V)：
hFE Min：
hFE Max：
fT Min (MHz)：
PTM Max (W)：
Package Type：

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更多2N705供应商更新时间2025-12-24 8:01:00

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