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2N7053	文件：42.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：42.72 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N7053	文件：92.83 Kbytes Page：1 Pages	NPN DARLINGTON TRANSISTOR NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：92.83 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N7053	文件：86.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06. 文件：86.1 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N7053	文件：310.62 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington Transistor 文件：310.62 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N7053	文件：300 bytes Page：1 Pages	2N7053: NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N7053	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N7053_D74Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N7053_D75Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N7053
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
>200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1660,2SD1978,2SD1981,2SD2067,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β=1000-20000
图片代号：
A-20
vtest：
100
htest：
200000100
atest：
1.5
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N7053
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-226-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N7053	onsemi	25+	TO-226-3	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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更多2N7053供应商更新时间2026-1-22 23:00:00

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