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2N7051分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N7051

参数属性

2N7051 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO92-3

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

27.62 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 8:23:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N7051

  • 别名:

    2N7051三极管、2N7051晶体管、2N7051晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β>20000

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    100

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0

  • wtest:

    0

2N7051规格书详情

NPN Darlington Transistor

• This device designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0A and high breakdown voltage.

• Sourced from Process 06.

• See 2N7052 for Characteristics.

产品属性

  • 产品编号:

    2N7051

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
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