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2N7002VA-7	文件：75.41 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil

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详细参数

型号：
2N7002VA-7-F
功能描述：
MOSFET 60V 150mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N7002VA-7-F	Diodes	24+	SOT-563	7500		询价
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更多2N7002VA-7-F供应商更新时间2025-5-22 10:50:00

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