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2N7002W-TP	文件：216.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2N7002X	文件：1.39247 Mbytes Page：5 Pages	MOSFET(N-Channel)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N7002X	文件：2.29295 Mbytes Page：5 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES HighdensitycelldesignforlowRDS(on) Voltagecontrolledsmallsignalswitch Ruggedandreliable Highsaturationcurrentcapability APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N7002XFB	文件：117.36 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDMOSFET Features •N-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate,1.2kVHBM •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant •GreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q1	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002Z	文件：169.71 Kbytes Page：4 Pages	300mAmps,60VoltsN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002Z	文件：183.71 Kbytes Page：4 Pages	300mA,60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZDW	文件：176.96 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZDWusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZDW	文件：177.16 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZT	文件：164.7 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002ZTusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProtect	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002ZT	文件：164.72 Kbytes Page：3 Pages	300mA,60VDUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
2N7002W-TP
功能描述：
MOSFET SNGL N-CH 60V 115mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002W-TP供应商更新时间2025-5-8 20:19:00

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