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2PB1424,115

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 3A SOT89

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

2PB1424

20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

文件:719.74 Kbytes 页数:13 Pages

NEXPERIA

安世

2PB1424

20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

General description PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) SMD plastic package. NPN complement: 2PD2150. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability: IC and ICM ■ High collector current gain (

文件:69.56 Kbytes 页数:11 Pages

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2PB709BRL

原厂

NEXPERIA

安世

上传:深圳市世正电子有限公司

2PD601ART

原厂

NEXPERIA

安世

上传:深圳市世正电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    2PB1424,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 3A SOT89

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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