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2PB1424

20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. NPNcomplement:2PD2150. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

2PB1424

Marking:M1;Package:SOT89;20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

2PB1424_15_15

20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

2PB1424,115

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 3A SOT89

Nexperia USA Inc.

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详细参数

  • 型号:

    2PB1424

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 20V 1A 4-Pin(3+Tab)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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