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2PB709	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-59 plastic package. NPN complement: 2PB601A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2PB709A	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-59 plastic package. NPN complement: 2PB601A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2PB709A	文件：104.78 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-59 plastic package. NPN complement: 2PB601A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：104.78 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
2PB709A	文件：40.4 Kbytes Page：2 Pages	SILICON SWICHING DIODE Features ● Low current (max. 100 mA) ● Low voltage (max. 45 V). 文件：40.4 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2PB709A	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	PNP general purpose transistor FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：281 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2PB709AQ	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BQ；Package：SC-59；PNP general purpose transistor FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：281 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2PB709AQ	文件：104.78 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-59 plastic package. NPN complement: 2PB601A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：104.78 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
2PB709AQ	文件：42 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-59 plastic package. NPN complement: 2PB601A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
2PB709AQW	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	PNP general purpose transistor DESCRIPTION PNP transistor in an SC-70 (SOT323) plastic package. NPN complement: 2PD601AW FEATURES • High collector current (max. 100 mA) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：106.29 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
2PB709AQW	文件：283.39 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N5；Package：SC-70；PNP general purpose transistor FEATURES •High collector current (max. 100 mA) •Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV). 文件：283.39 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO [max] (V)：
-45
IC [max] (mA)：
-100
hFE [min]：
210
hFE [max]：
340
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
70
Automotive qualified：
Y

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