| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
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NEXPERIA/安世SOT-23-3 |
41642 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价2PB709ARL,215即刻询购立享优惠#长期有货 |
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8年
留言
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PHISOT-23 |
9700 |
24+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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7年
留言
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NexperiaSOT-323-3 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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7年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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恩XPSOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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11年
留言
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恩XPSOT-23-3 |
3000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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3年
留言
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恩XPSOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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6年
留言
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恩XPSOT23 |
1855 |
23+ |
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6年
留言
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恩XPSOT23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价2PB709ASW即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15年
留言
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恩XPSOT-23 |
32000 |
25+ |
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恩XP/恩XP全新特价2PB709ARL即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Nexperia(安世)SOT-323(SC-70) |
3022 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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7年
留言
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恩XP标准封装 |
22048 |
24+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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15年
留言
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PHI原装 |
32000 |
25+ |
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PHI/PHI全新特价2PB709AR即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价2PB709ART即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-323 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价2PB709ARW即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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15年
留言
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恩XPSOT-23 |
32360 |
25+ |
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恩XP/恩XP全新特价2PB709AS即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23-3 |
41641 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价2PB709ARL即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2PB709ASL,215价格
2PB709ASL,215价格:¥0.1855品牌:恩XP
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2PB709ARL中文资料Alldatasheet PDF
更多2PB709A制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:SILICON SWICHING DIODE
2PB709AQ,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AQW,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709AR,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL,215功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 100MA PNP GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ARL,235功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART /T3功能描述:两极晶体管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART T/R功能描述:两极晶体管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART,215功能描述:两极晶体管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
































