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2PB709ASW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2PB709ASW
厂商型号

2PB709ASW

参数属性

2PB709ASW 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

功能描述

PNP general purpose transistor
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

丝印标识

N9

封装外壳

SOT323 / SC-70,SOT-323

文件大小

283.39 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:05:00

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2PB709ASW规格书详情

2PB709ASW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的2PB709ASW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

FEATURES

•High collector current (max. 100 mA)

•Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV).

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2PB709ASW,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    290 @ 2mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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