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2N7002MTF	文件：162.29 Kbytes Page：4 Pages	Marking：702；Package：SOT-23；Advanced Small Signal MOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●LowerRDS(on) ●ImprovedInductiveRuggedness ●FastSwitchingTimes ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002MTF	文件：116.48 Kbytes Page：5 Pages	Marking：702；Package：SOT-23；N-Channel Small Signal MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002MTF_01	文件：116.48 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Small Signal MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N7002NT	文件：435.27 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
2N7002NXAK	文件：279.69 Kbytes Page：14 Pages	60V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESDprotected 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002NXBK	文件：288.98 Kbytes Page：14 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •Elect	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002P	文件：173.25 Kbytes Page：16 Pages	60V,0.3AN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■AEC-Q101qua	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002P	文件：283.93 Kbytes Page：15 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002PS	文件：382.95 Kbytes Page：16 Pages	60V,320mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ●Logic-levelcompatible ●Veryfastswitching ●TrenchMOSFETtechnology ●AEC-	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
2N7002PS	文件：294.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
2N7002MTF
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002MTF供应商更新时间2025-5-24 14:14:00

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