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2N7002E-T1-E3	文件：183.33 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowOn-Resistance:3 •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:7.5ns •LowInputandOutputLeakage •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •LowOffsetVoltage •Low-Vo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
2N7002E-T1-GE3	文件：194.4 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowOn-Resistance:3 •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:7.5ns •LowInputandOutputLeakage •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •LowOffsetVoltage •Low-Vo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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2N7002E-T1-E3

文件：183.33 Kbytes

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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowOn-Resistance:3 •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:7.5ns •LowInputandOutputLeakage •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •LowOffsetVoltage •Low-Vo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

2N7002E-T1-GE3

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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
2N7002E-T1
功能描述：
MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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