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2N7002-G	文件：444.49 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription TheSupertex2N7002isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
2N7002-G	文件：183.7 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET MOSFET(N-Channel) RoHSDevice Features Powerdissipation:0.35W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
2N7002-G	文件：665.51 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX Supertex, Inc
2N7002-G	文件：116.93 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
2N7002-G	文件：546.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX Supertex, Inc
2N7002-G_12	文件：116.93 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
2N7002	文件：91.04 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description •N-channelenhancementmodefieldeffecttransistor,designedforhighspeedpulsedamplifieranddriverapplications,whichismanufactoredbytheN-ChannelDMOSprocess. Features •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). •Voltagecontrolledsmallsignalswitching. •Ruggeda	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
2N7002	文件：30.9 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription TheSupertex2N7002isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andtheh	SUTEX Supertex, Inc
2N7002	文件：25.02 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET FEATURES *60VoltVCEO	Zetex Zetex Semiconductors
2N7002	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技
2N7002	文件：538.2 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N7002	文件：80.02 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFET DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N7002typeisanN-Channelenhancement-modeMOSFETmanufacturedbytheN-ChannelDMOSProcess,designedforhighspeedpulsedamplifieranddriverapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N7002	文件：55.51 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitanc	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
2N7002	文件：474.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
2N7002	文件：24.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistor DESCRIPTION Calogic’s2N7002devicetypeisaverticalDMOSFETtransistorhousedinasurfacemountSOT-23formicro-assemblyapplications.Thedeviceisanexcellentchoiceforswitchingapplicationswherebreakdown(BV)andlowon-resistanceareimportant.	Calogic Calogic
2N7002	文件：243.64 Kbytes Page：5 Pages	DMOSTransistors(N-Channel)	GE GE Industrial Company
2N7002	文件：162.29 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedSmallSignalMOSFET BVDSS=60V RDS(on)=5.0Ω ID=200mA FEATURES ●LowerRDS(on) ●ImprovedInductiveRuggedness ●FastSwitchingTimes ●LowerInputCapacitance ●ExtendedSafeOperatingArea ●ImprovedHighTemperatureReliability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N7002	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2N7002	文件：473.01 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:3 LowInputCapacitance:25PF LowOutputCapacitance:6PF LowThreshole:1.5V(TYE) *FastSwitchingSpeed:7.5ns	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2N7002	文件：172.91 Kbytes Page：2 Pages	NChannelSmallSignalMOSFET ●DRIVESSWITCHS,RELAYS,SOLENOIDS,LAMPS,DISPLAYS,ETC. ●LOWOFFSETVOLTAGE ●LOWVOLTAGEOPERATION ●EASILYDRIVENWITHOUTBUFFER	STANSONStanson Technology Stanson 科技

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详细参数

型号：
2N7002-G
功能描述：
MOSFET 60V 7.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N7002-G	Microchip Technology	23+	SOT-23(TO-236AB)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多2N7002-G供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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