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2N7002DW数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

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厂商型号

2N7002DW

参数属性

2N7002DW 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363

功能描述

N 沟道增强型场效应晶体管 60V,0.115A,2Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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2N7002DW规格书详情

特性 Features

•双N沟道数字MOSFET
•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速开关速度
•低输入/输出泄漏
•超小型表面贴装封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :2N7002DW

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :0.115

  • PD Max (W)

    :0.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=7500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=2000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :37.8

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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