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2N7002BKM,315	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET General description\nN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n● Logic-level compatible\n● Very fast switching\n● Trench MOSFET technology\n● ES	恩XP	恩XP
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详细参数

型号：
2N7002BKM,315
功能描述：
MOSFET Single N-Channel 60V 300mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多2N7002BKM,315供应商更新时间2025-11-10 17:12:00

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