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2N6520RLRAG	文件：122.56 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNandPNP Features •VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520RLRAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：229.58 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNandPNP Features •VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：27.21 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 350VoltVCEO Gainof15atIC=-100mA	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
2N6520	文件：105.88 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
2N6520	文件：70.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighVoltageTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCBO=-350V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW •Complementto2N6517	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6520	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementto2N6517	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N6520	文件：1.62888 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulatePNPTransistors FEATURES Complementto2N6517 Highvoltage. APPLICATIONS Highvoltagecontrolcircuitapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2N6520	文件：304.96 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6515,2N6518 seriesdevicesarecomplementarysilicontransistors designedforhighvoltagedriverandamplifier applications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6520	文件：427.63 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThroughHolePackage •150°CJunctionTemperature •VoltageandCurrentarenegativeforPNPtrans	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N6520	文件：109.18 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6520	文件：101.59 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltageTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6520	文件：118.01 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N6520	文件：214.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
2N6520	文件：295.96 Kbytes Page：7 Pages	HighVoltageTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2N6520	文件：242.86 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Highvoltagetransistors	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2N6520	文件：51.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N6520isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •The2N6520iscomplementaryto2N6517.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N6520	文件：129.449 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-350V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N6520	文件：41.06 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 350VoltVCEO Gainof15atIC=-100mA	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
2N6520	文件：220.18 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HIGHVOLTAGETRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL

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产品属性

产品编号：
2N6520RLRAG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 350V 0.5A TO92

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更多2N6520RLRAG供应商更新时间2024-4-28 16:10:00

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