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2N6849	文件：95.61 Kbytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
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2N6849HP	文件：126.21 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
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JANTX2N6849U	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTOR Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerstheextraflexibilitythe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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详细参数

型号：
2N6849
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 6.5A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET(PFET) - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -100V 6.5A TO-205AF
制造商：
TT Electronics/ Semelab
功能描述：
MOSFET P TO-39
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 6.5A, TO-205AF
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 6.5A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-6.5A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
P-channel MOSFET,2N6849 6.5A 100V

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