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2N6796	文件：18.47 Kbytes Page：2 Pages	TMOS FET TRANSISTOR N - CHANNEL FEATURES •VDSS=100V •ID=8A •RDSON=0.18Ω	SEME-LAB Seme LAB
2N6796	文件：140.76 Kbytes Page：7 Pages	8A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET 8A,100V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET The2N6796isanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
2N6796	文件：47.64 Kbytes Page：5 Pages	100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor [Omnirel] DESCRIPTION ThishermeticallypackagedQPLproductfeaturesthelatestadvancedMOSFETtechnology.ItisideallysuitedforMilitaryrequirementswheresmallsize,highperformanceandhighreliabilityarerequired,andinapplicationssuchasswitchingpowersupplies,motorcontrols,	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2N6796	文件：102.99 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION ThisfamilyofswitchingtransistorsismilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhighreliabilityapplications.The2N6798partnumberisalsoqualifiedtotheJANSlevel.ThesedevicesarealsoavailableinalowprofileU-18LCCsurfacemountpackage.Microsemialsooffersnumer	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6796	文件：22.28 Kbytes Page：2 Pages	TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL	SEME-LAB Seme LAB
2N6796	文件：118.88 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6796	文件：182.77 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6796U	文件：102.99 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION ThisfamilyofswitchingtransistorsismilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhighreliabilityapplications.The2N6798partnumberisalsoqualifiedtotheJANSlevel.ThesedevicesarealsoavailableinalowprofileU-18LCCsurfacemountpackage.Microsemialsooffersnumer	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6796_03	文件：22.28 Kbytes Page：2 Pages	TMOS FET ENHANCEMENT N - CHANNEL	SEME-LAB Seme LAB
2N6796_10	文件：182.77 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL MOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6796LCC4	文件：19.79 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB
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JAN2N6796	文件：1.03918 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION ThisfamilyofswitchingtransistorsismilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhighreliabilityapplications.The2N6798partnumberisalsoqualifiedtotheJANSlevel.ThesedevicesarealsoavailableinalowprofileU-18LCCsurfacemountpackage.Microsemialsooffersnumer	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANS2N6796	文件：1.03918 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION ThisfamilyofswitchingtransistorsismilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhighreliabilityapplications.The2N6798partnumberisalsoqualifiedtotheJANSlevel.ThesedevicesarealsoavailableinalowprofileU-18LCCsurfacemountpackage.Microsemialsooffersnumer	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTX2N6796	文件：1.03918 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION ThisfamilyofswitchingtransistorsismilitaryqualifieduptotheJANTXVlevelforhighreliabilityapplications.The2N6798partnumberisalsoqualifiedtotheJANSlevel.ThesedevicesarealsoavailableinalowprofileU-18LCCsurfacemountpackage.Microsemialsooffersnumer	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
JANTX2N6796	文件：47.64 Kbytes Page：5 Pages	100V,200V,400V&500V,N-Channel,EnhancementModeMOSFETPowerTransistor [Omnirel] DESCRIPTION ThishermeticallypackagedQPLproductfeaturesthelatestadvancedMOSFETtechnology.ItisideallysuitedforMilitaryrequirementswheresmallsize,highperformanceandhighreliabilityarerequired,andinapplicationssuchasswitchingpowersupplies,motorcontrols,	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
JANTX2N6796	文件：236.45 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=8.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6796	文件：134.59 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTX2N6796U	文件：201.42 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
JANTXV2N6796	文件：47.64 Kbytes Page：5 Pages	100V,200V,400V&500V,N-Channel,EnhancementModeMOSFETPowerTransistor [Omnirel] DESCRIPTION ThishermeticallypackagedQPLproductfeaturesthelatestadvancedMOSFETtechnology.ItisideallysuitedforMilitaryrequirementswheresmallsize,highperformanceandhighreliabilityarerequired,andinapplicationssuchasswitchingpowersupplies,motorcontrols,	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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详细参数

型号：
2N6796
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 8A TO-
功能描述：
MOSFET N TO-39
制造商：
TT Electronics/ Semelab
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
8A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
SEMELAB
功能描述：
MOSFET, N, TO-39; Transistor
Typ：
4V; Power Dissipation
Pd：
25W ;RoHS
Compliant：
Yes
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 8A TO-39

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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