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2N6731

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES * 80 Volt VCEO * Gain of 100 at IC = 350 mA * Ptot=1 Watt

文件:27.22 Kbytes 页数:1 Pages

ZETEX

2N6731

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES * 80 Volt VCEO * Gain of 100 at IC = 350 mA * Ptot=1 Watt

文件:31.33 Kbytes 页数:1 Pages

DIODES

美台半导体

2N6731

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

FEATURES * 80 Volt VCEO * Gain of 100 at IC = 350 mA * Ptot=1 Watt

文件:43.23 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6731

Power Transistors

文件:50.69 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

2N6731

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

Diodes

美台半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2N6731

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >50MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD529,2SB1281,2SD1282,2SD1283,2SD1284,3DK104D,

  • 最大耗散功率:

    2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-80

  • vtest:

    100

  • htest:

    50000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    2

详细参数

  • 型号:

    2N6731

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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150
全新原装 货期两周
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24+
1850
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25+
250
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TO-237
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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专业铁帽
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专业铁帽
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67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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更多2N6731供应商 更新时间2026-1-17 16:06:00