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2N6729	文件：31.4 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：31.4 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
2N6729	文件：32.409 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS FEATURES * 100 Volt VCEO * Gain of 20 at IC = 0.5 Amp * Ptot=1 Watt 文件：32.409 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N6729	文件：45.84 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 2N6716, 2N6728 Series types are Complementary Silicon Plastic Power Transistors designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：45.84 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6729	文件：28.3 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：28.3 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6729	文件：193.6 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：193.6 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6729	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-237	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N6729
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD520,BD528,2SB957,2SB958,3CA3C,
最大耗散功率：
1.2W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
80
htest：
50000100
atest：
2
wtest：
1.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
500MHz
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@10mA@250mAV
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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