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2N655	文件：91.44 Kbytes Page：1 Pages	GE PNP LO-PWR BJT GERMANIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：91.44 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N655	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N655	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92	NJS 新泽西半导体	NJS
2N6550	文件：95.81 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise, High Gain Amplifier 文件：95.81 Kbytes 页数：1 Pages	INTERFET	INTERFET
2N6550	文件：130.979 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise, High Gain Amplifier 文件：130.979 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6551	文件：148.41 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：148.41 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6551	文件：91.52 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Silicon Transistors manufactured by the epitaial planar process designed for general purpose audio amplifier DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6651 series and 2N6554 series types are Complementary Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose audio amplifier applications. 文件：91.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6551	文件：53.47 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-202 Case 文件：53.47 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6552	文件：91.52 Kbytes Page：2 Pages	Complementary Silicon Transistors manufactured by the epitaial planar process designed for general purpose audio amplifier DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6651 series and 2N6554 series types are Complementary Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose audio amplifier applications. 文件：91.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N655
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.25A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX85B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-9
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.25
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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