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2N6559	文件：147.56 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：147.56 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6554	文件：134.93 Kbytes Page：1 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：134.93 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6555	文件：134.93 Kbytes Page：1 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：134.93 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6556	文件：107.9 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT 文件：107.9 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6556	文件：134.93 Kbytes Page：1 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：134.93 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6553	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N6555	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-202	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N655
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.25A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX85B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β>100
图片代号：
D-9
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.25
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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