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2N6430	文件：262.82 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS General Purpose Transistors. 文件：262.82 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6430	文件：104.36 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTART SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6430 series types are hermetically seald complementary small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for high voltage amplifier applications. 文件：104.36 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6430	文件：51.44 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR 文件：51.44 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6430	文件：33.47 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：33.47 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6430	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage	Central	Central
2N6430 PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 200V 0.1A TO18	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N6430
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
200
htest：
50000100
atest：
0.5
wtest：
0.5

技术参数

Case：
TO-18
Configuration/ Description：
NPN High Voltage
Polarity：
NPN
IC MAX：
500mA
PD MAX：
500mW
VCEO MAX：
200V
hFE MIN：
50
hFE MAX：
200
@VCE：
10V
VCE(SAT) MAX：
0.5V
@IC：
20mA
@IB：
2mA
Cob MAX：
4pF
fT MIN：
50MHz

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