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2N6430分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6430
厂商型号

2N6430

参数属性

2N6430 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 0.1A TO18

功能描述

COMPLEMENTART SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 200V 0.1A TO18

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

文件大小

104.36 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:30:00

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2N6430规格书详情

2N6430属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的2N6430晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6430 series types are hermetically seald complementary small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for high voltage amplifier applications.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N6430 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 2mA,20mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 0.1A TO18

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