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2N6491 | PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：272.94 Kbytes 页数：3 Pages | CDIL | CDIL | |
2N6491 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
2N6491 | POWER TRANSISTORS(15A,75W) Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490 文件：190.3 Kbytes 页数：4 Pages | MOSPEC 统懋 | MOSPEC | |
2N6491 | Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2N6491 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.62 Kbytes 页数：3 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2N6491 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2N6488 APPLICATIONS • It is intended for use in power linear and low frequency switching applications 文件：103.14 Kbytes 页数：3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | |
2N6491 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 15 Amperes − hFE = 20−150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 文件：151.26 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
2N6491 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：93.26 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
2N6491 | SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
90V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
>5MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD610,BD710,BD744C,BD912,BDT86,3CA10F,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
90
- htest：
5000100
- atest：
15
- wtest：
75
产品属性
- 产品编号：
2N6491
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 5A，15A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，4V
- 频率 - 跃迁：
5MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP 80V 15A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
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TO-220 |
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TO-220 |
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全新 |
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原厂封装 |
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原装现货假一罚十 |
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TO-220-3 |
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