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2N6491分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6491

参数属性

2N6491 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 15A TO220

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-220-3

文件大小

71.78 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6491

  • 别名:

    2N6491三极管、2N6491晶体管、2N6491晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    90V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    >5MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD610,BD710,BD744C,BD912,BDT86,3CA10F,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    90

  • htest:

    5000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    75

2N6491规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.

产品属性

  • 产品编号:

    2N6491

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 5A,15A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 15A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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