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2N6436 | POWER TRANSISTORS(25A,200W) HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGain hFE=20-80©lc=10A =12(Min)®lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltage VCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB | MOSPEC MOSPEC |  | |
2N6436 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
2N6436 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •HighDCcurrentgain •Fastswitchingtimes •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS •Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N6436 | HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION DesignedforuseinIndustrial-MilitaryPowerAmplifierandSwitchingCircuitApplications | SEME-LAB Seme LAB |  | |
2N6436 | HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGainhFE=20-80©lc=10A=12(Min)®lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto | bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 |  | |
2N6436 | HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGainhFE=20-80©lc=10A=12(Min)®lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto2N | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
2N6436 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
2N6436 | 包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 |  |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
>40MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
2N6377,2N6378,2N6379,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
100
- htest：
40000100
- atest：
25
- wtest：
200
产品属性
- 产品编号：
2N6436
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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