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2N6493	文件：131.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications 文件：131.23 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6493	文件：111.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • General-purpose power amplifier and low frequency swithing applications 文件：111.51 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6493	文件：113.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：113.09 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6493	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N6493
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV67A,BDW83C,BDX67B,MJ4035,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>500
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
15
wtest：
100

技术参数

Maximum Transition Frequency：
5(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
80000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@500mA@2.5A
Maximum Collector Base Voltage：
450V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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更多2N6493供应商更新时间2026-1-18 14:01:00

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