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2N6497	文件：185.48 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for high voltage inverters,switching regulators and line operated amplifier applications. FEATURES: • Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 250V(Min)- 2N6497 = 300V(Min)- 2N6498 = 350V(Min)- 2N6499 • DC Current Gain- hFE= 10-75 文件：185.48 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6497	文件：890.67 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6497, 2N6498, and 2N6499 are silicon NPN power transistors designed for high voltage amplifier applications. 文件：890.67 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6497	文件：179 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(5A,80W) HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for high voltage inverters,switching regulators and line operated amplifier applications. FEATURES: • Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 250V(Min)- 2N6497 = 300V(Min)- 2N6498 = 350V(Min)- 2N6499 • DC Current Gain- hFE= 10- 文件：179 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6497	文件：199 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 250V(Min)- 2N6497 = 300V(Min)- 2N6498 = 350V(Min)- 2N6499 • DC Current Gain- : hFE= 10-75@IC= 2.5A APPLICATIONS • Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications. 文件：199 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6497	文件：94.23 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for high voltage inverters,switching regulators and line operated amplifier applications. FEATURES: • Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 250V(Min)- 2N6497 = 300V(Min)- 2N6498 = 350V(Min)- 2N6499 • DC Current Gain- hFE= 10-75 文件：94.23 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6497	文件：92.8 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •·With TO-220C package • High breakdown voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications 文件：92.8 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6497	文件：148.84 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS NPN SILICON High Voltage NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for high voltage inverters, switching regulators and line−operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications. Features • High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 250 文件：148.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6497	文件：64.53 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage NPN Silicon Power Transistors 文件：64.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6497	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6497	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN High Voltage	Central	Central

晶体管资料

型号：
2N6497
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT56(A),MJE51T,MJE52T,MJE53T,2SC2907,3DA308A,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
350
htest：
5000100
atest：
5
wtest：
80

产品属性

产品编号：
2N6497
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
5V @ 2A，5A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2.5A，10V
频率 - 跃迁：
5MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 250V 5A TO220

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