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2N6497分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6497

参数属性

2N6497 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 5A TO220

功能描述

POWER TRANSISTORS NPN SILICON
TRANS NPN 250V 5A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

148.84 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6497

  • 别名:

    2N6497三极管、2N6497晶体管、2N6497晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    >5MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BUT56(A),MJE51T,MJE52T,MJE53T,2SC2907,3DA308A,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    350

  • htest:

    5000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    80

2N6497规格书详情

2N6497属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的2N6497晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

High Voltage NPN Silicon Power Transistors

These devices are designed for high voltage inverters, switching regulators and line−operated amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications. Features

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 250 Vdc (Min)

• Excellent DC Current Gain − hFE = 10−75 @ IC = 2.5 Adc

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage @ IC = 2.5 Adc − VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max)

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N6497

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 2A,5A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 2.5A,10V

  • 频率 - 跃迁:

    5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 5A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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