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2N6496分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6496
厂商型号

2N6496

参数属性

2N6496 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

HIGH-CURRENT, HIGH-POWER HIGH-SPEED SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTORS

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

351.57 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 GE Solid State
企业简称

GESS

中文名称

GE Solid State

原厂标识
GESS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 13:01:00

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2N6496规格书详情

High-Current, High-Power High-Speed Silicon N-P-N Planar Transistors

Devices for Switching and Amplifier Circuit in Industrial and Commercial Applications

产品属性

  • 产品编号:

    2N6496

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 800µA, 8mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AD(TO-3)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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