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2N649	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N649	文件：169.34 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM NPN LOW POWER TRANSISTORS 文件：169.34 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6490	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6490	文件：190.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,75W) Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490 文件：190.3 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6490	文件：272.94 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：272.94 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6490	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6490	文件：151.26 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 15 Amperes − hFE = 20−150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 文件：151.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6490	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6490	文件：134.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6490	文件：263.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain Specified to 15 Amperes- : hFE =20-150@ IC= -5.0A =5.0(Min)@ IC= -15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min) ·Complement to Type 2N6487 APPLICATIONS ·Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：263.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2N649
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,ASY28,ASY29,ASY73,ASY74,ASY75,2N1302,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.1

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.3
IC Cont. (A)：
15
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
70
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
20
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
5
PTM Max (W)：
75
Package Type：
TO-220-3

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