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2N6490	文件：236.74 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6490	文件：93.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：93.26 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6490	文件：52.24 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The 2N6487 and 2N6488 are silicon epitaxial-base NPN transistors in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications. The 2N6487 complementary type is 2N6490. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY P 文件：52.24 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6491	文件：93.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：93.26 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6491	文件：236.74 Kbytes Page：1 Pages	SILICON N-P-N AND P-N-P EPITAXIAL-BASE VERSAWATT TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS designedfor use In general-purpose amplifier and switching applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining Vottage VCEO(sus) = 40 V (Min) -2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) -2N6487, 2N6490 文件：236.74 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6491	文件：151.26 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. Features • DC Current Gain Specified to 15 Amperes − hFE = 20−150 @ IC = 5.0 Adc = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 文件：151.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6491	文件：26.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN/PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6486, 6487, 6488 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 2N6489, 6490, 6491 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS General Purpose Amplifier and Switching Applications 文件：26.12 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6491	文件：190.3 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(15A,75W) Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications. FEATURES: • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 40 V (Min) – 2N6486, 2N6489 = 60 V (Min) – 2N6487, 2N6490 文件：190.3 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6491	文件：134.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Excellent safe operating area • Complement to type 2N6486 2N6487 2N6488 respectively APPLICATIONS • Power amplifier and medium speed switching applications 文件：134.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6491	文件：103.14 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2N6488 APPLICATIONS • It is intended for use in power linear and low frequency switching applications 文件：103.14 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2N649
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,ASY28,ASY29,ASY73,ASY74,ASY75,2N1302,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.1

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.3
IC Cont. (A)：
15
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
70
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
20
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
5
PTM Max (W)：
75
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N649供应商更新时间2026-10-26 13:31:00

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