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2N6497	文件：64.53 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage NPN Silicon Power Transistors 文件：64.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6497	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6499	文件：94.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.53 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6499	文件：92.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：92.96 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6491	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极功率晶体管，NPN，80 V，15 A The 15 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. 2N6487, 2N6488 (NPN); and 2N6490, 2N6491 (PNP) are complementary devices. • DC Current Gain Specified to 15 Amperes-- hFE = 20-150 @ IC = 5.0 Adc; hFE= 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage--VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6487, 2N6490; VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6488, 2N6491\n• High Current Gain--Bandwidth ProductfT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc\;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6490	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS 新泽西半导体	NJS
2N6490	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2N6490G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 15A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6491	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 15A TO220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6491 PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 15A TO220-3	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N649
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,ASY28,ASY29,ASY73,ASY74,ASY75,2N1302,
最大耗散功率：
0.1W
放大倍数：
图片代号：
C-18
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.1

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.3
IC Cont. (A)：
15
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
70
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.3
hFE Min：
20
hFE Max：
150
fT Min (MHz)：
5
PTM Max (W)：
75
Package Type：
TO-220-3

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更多2N649供应商更新时间2026-10-26 13:31:00

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