2N6491中文资料双极功率晶体管,NPN,80 V,15 A数据手册ONSEMI规格书
2N6491规格书详情
描述 Description
The 15 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. 2N6487, 2N6488 (NPN); and 2N6490, 2N6491 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• DC Current Gain Specified to 15 Amperes-- hFE = 20-150 @ IC = 5.0 Adc; hFE= 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage--VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6487, 2N6490; VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6488, 2N6491
• High Current Gain--Bandwidth ProductfT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
• TO-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
• Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications.
简介
2N6491属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6491晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2N6491
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.3
- IC Cont. (A)
:15
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:90
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.3
- hFE Min
:20
- hFE Max
:150
- fT Min (MHz)
:5
- PTM Max (W)
:75
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
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TO-220 |
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ON |
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TO-220 |
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ON |
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TO-220-3 |
50000 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-200F |
50000 |
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询价 |