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2N6490数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N6490

参数属性

2N6490 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 15A TO220

功能描述

15 A,60 V,PNP 双极功率晶体管
TRANS PNP 60V 15A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:18:00

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2N6490规格书详情

描述 Description

The 15 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. 2N6487, 2N6488 (NPN); and 2N6490, 2N6491 (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• DC Current Gain Specified to 15 Amperes-- hFE = 20-150 @ IC = 5.0 Adc; hFE= 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage--VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6487, 2N6490; VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) - 2N6488, 2N6491
• High Current Gain--Bandwidth ProductfT = 5.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
• TO-220AB Compact Package
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

• Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications.

简介

2N6490属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N6490晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N6490

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.3

  • IC Cont. (A)

    :15

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :70

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.3

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :150

  • fT Min (MHz)

    :5

  • PTM Max (W)

    :75

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
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