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2N6290	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6290	文件：294.21 Kbytes Page：3 Pages	NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Complementary 2N6109 Medium Power Switching and Linear Applications 文件：294.21 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
2N6290	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6290	文件：178.71 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6107, 2N6288 series types are complementary silicon power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose power amplifier and switching applications. 文件：178.71 Kbytes 页数：3 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6290	文件：171.37 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(7A,40W) 2N6107,2N6109,2N6111 -- >PNP 2N6288,2N6290,2N6292 --> NPN 7A 30 - 70 Volts 40 Watts 文件：171.37 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6290	文件：365.83 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors [multicomp] Features: • Collector-Emitter sustaining voltage- VCEO(sus) = 50V (Minimum) - 2N6109, 2N6290. • DC current gain specified to 7.0 Amperes hFE = 2.3 (Minimum) at IC = 7.0A - 2N6109, 2N6290. • Complementary Silicon Plastic Power Transistors. 文件：365.83 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6290	文件：136.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to PNP type: 2N6107; 2N6109 ;2N6111 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：136.19 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6290	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6290	文件：131.92 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：131.92 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6290	文件：95.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to PNP type: 2N6107; 2N6109 ;2N6111 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：95.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2N6290
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243A,BD543A,BD597,BD607,BD797,BD807,3DD62C,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
4000100
atest：
7
wtest：
40

技术参数

VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
PD(W)：
40
PACKAGE：
TO-220
NPN：
2N6290
PNP：
2N6109
HFE(Min/Max)：
30/150
IC/VCE(A/V)：
2.5/4.0
VCE(SAT)(V)：
3.5
IC / IB(A/mA)：
7.0/3A

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