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2N6288分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6288

参数属性

2N6288 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 7A TO220

功能描述

EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

101.31 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

BOCA

中文名称

博卡

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-29 21:08:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6288

  • 别名:

    2N6288三极管、2N6288晶体管、2N6288晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD243,BD543,BD595,BD605,BD795,BD805,3DD62B,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    40

  • htest:

    4000100

  • atest:

    7

  • wtest:

    40

2N6288规格书详情

Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors

General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications

产品属性

  • 产品编号:

    2N6288

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3.5V @ 3A,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 7A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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