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2N6516 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW 文件：35.79 Kbytes 页数：1 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | |
2N6516 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 文件：220.18 Kbytes 页数：5 Pages | CDIL | CDIL | |
2N6516 | COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications. 文件：304.96 Kbytes 页数：3 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
CAN | SSI | SSI | ||
to-39 | HARRIS 上传：深圳市宇创芯科技有限公司 | HARRIS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_视频输出 （Vi
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
300V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
>40MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BF393,BFP25,MPS-A42,2SD1350,3DG841I,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-31
- vtest：
300
- htest：
40000100
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
详细参数
- 型号：
2N6516
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-92 |
500 |
询价 | |||
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23+ |
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原装现货假一罚十 |
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