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2N6516

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 300V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

文件:35.79 Kbytes 页数:1 Pages

Samsung

三星

2N6516

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

文件:220.18 Kbytes 页数:5 Pages

CDIL

2N6516

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6515, 2N6518 series devices are complementary silicon transistors designed for high voltage driver and amplifier applications.

文件:304.96 Kbytes 页数:3 Pages

Central

2N6661

CAN

2N6796

to-39

详细参数

  • 型号:

    2N6516

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TO-92

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT
24+
TO-92
500
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HI-SINCER
23+
NA
26486
专做原装正品,假一罚百!
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Central Semi
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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24+/25+
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原装正品现货库存价优
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2160
原装现货假一罚十
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TO-92
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多2N6516供应商 更新时间2025-12-1 16:30:00