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2N6516

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGHVOLTAGETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=300V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

2N6516

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HIGHVOLTAGETRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

2N6516

COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6515,2N6518 seriesdevicesarecomplementarysilicontransistors designedforhighvoltagedriverandamplifier applications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

详细参数

  • 型号:

    2N6516

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TO-92

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MOT
24+
TO-92
500
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HI-SINCER
23+
NA
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更多2N6516供应商 更新时间2025-7-29 16:30:00