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2N6286G	文件：129.52 Kbytes Page：7 Pages	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thesepackagesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−frequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain@IC=10Adc−hFE=2400(Typ)−2N6284=4000(Typ)−2N6287 •Collector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-204AA，TO-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 20A TO204	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：211.87 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(20A,160W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2N6286	文件：214.32 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：218.76 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONCOPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N6286	文件：58.36 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6286	文件：87.12 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitchingapplications. •HighDCCurrentGain@IC=10Adc— hFE=2400(Typ)—2N6282,2N6283,2N6284 hFE=4000(Typ)—2N6285,2N6286,2N6287 •Collector–EmitterSustai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：51.69 Kbytes Page：1 Pages	POWERTRANSISTORSTO-3CASE PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N6286	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerTransistors PowerTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6286	文件：155.38 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6282/6283/6284 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Foruseingeneral-purposeamplifierand low-frequencyswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2N6286	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6286	文件：141.3 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：132.1 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6282/6283/6284 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Foruseingeneral-purposeamplifierand low-frequencyswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N6286	文件：129.52 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thesepackagesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−frequencyswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain@IC=10Adc−hFE=2400(Typ)−2N6284=4000(Typ)−2N6287 •Collector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(s	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6286	文件：440.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPDarlingtonPowerSiliconTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
2N6286	文件：489.75 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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2N6286	文件：58.99 Kbytes Page：2 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6286	文件：80.16 Kbytes Page：3 Pages	PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR The2N6285,2N6286and2N6287aremountedinTO-3metalpackage. Theyaredesignedforuseingeneral–purposeamplifierandlow–frequencyswitching applications. ThecomplementaryNPNare2N6282,2N6283,2N6284 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

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产品属性

产品编号：
2N6286G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS PNP DARL 80V 20A TO204

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6286G供应商更新时间2024-4-28 17:14:00

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