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2N6286	文件：214.32 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai 文件：214.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6286	文件：87.12 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai 文件：87.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6286	文件：129.52 Kbytes Page：7 Pages	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general−purpose amplifier and low−frequency switching applications. Features • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc − hFE = 2400 (Typ) − 2N6284 = 4000 (Typ) − 2N6287 • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(s 文件：129.52 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6286	文件：211.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(20A,160W) 文件：211.87 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6286	文件：80.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR The 2N6285, 2N6286 and 2N6287 are mounted in TO-3 metal package. They are designed for use in general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. The complementary NPN are 2N6282, 2N6283, 2N6284 Compliance to RoHS. 文件：80.16 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N6286	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6286	文件：132.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6282/6283/6284 • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications 文件：132.1 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6286	文件：229.44 Kbytes Page：2 Pages	COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE 文件：229.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6286	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Complement to type 2N6282/6283/6284 • High DC current gain • DARLINGTON APPLICATIONS • For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications 文件：114.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6286	文件：218.76 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：218.76 Kbytes 页数：4 Pages	BOCA 博卡	BOCA

晶体管资料

型号：
2N6286
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX66A,BDX68A,BDX68B,BDX68C,MJ4031,MJ11013,TIP646,2SB694,
最大耗散功率：
160W
放大倍数：
β>750
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
999900
atest：
20
wtest：
160

产品属性

产品编号：
2N6286
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
描述：
NPN TRANSISTOR

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