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2N6387	文件：164.24 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. Features • High DC Current Gain - hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 文件：164.24 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6387	文件：128.21 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Silicon Transistors These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6387 = 80 Vdc (Min) − 2N6388 • Low Collector−Emit 文件：128.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6387	文件：167.01 Kbytes Page：3 Pages	DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTORS 8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS 文件：167.01 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6387	文件：92.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN PLASTIC MEDIUM DARLINGTON POWER TRANSISTORS Designed for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications 文件：92.64 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6387	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6387	文件：160.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(65W) 8 AND 10 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 40-80 VOLTS 65 WATTS 文件：160.99 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6387	文件：347.98 Kbytes Page：8 Pages	Power Transistors Power Transistors 文件：347.98 Kbytes 页数：8 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6387	文件：134.89 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：134.89 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6387	文件：163.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2N6666/6667/6668 ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications 文件：163.85 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6387	文件：259.149 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS DARLINGTON 8 AND 10 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 40-60-80 VOLTS 65 WATTS 文件：259.149 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N6387
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD267,BD645,BD697,BD897,BDW73A,BDX53A,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
65

产品属性

产品编号：
2N6387
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 60V 10A TO220

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