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2N6038G	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038G	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038G	文件：150.3 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038	文件：174.73 Kbytes Page：4 Pages	MIDIUMPOWERDAR;OMGTONS DESCRIPTION The2N6037,2N6038and2N6039aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTo-126plasticpackage. ThecomplementaryPNPtypesarethe2N6034,2N6035and2N6036respectively.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
2N6038	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038	文件：105.41 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6034/6035/6036 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifier andlow-speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N6038	文件：137.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6034/6035/6036 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifier andlow-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N6038	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038	文件：113.74 Kbytes Page：8 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors PlasticDarlingtoncomplementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125in •Pb−FreePa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2N6038	文件：133.64 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6038	文件：107 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
2N6038	文件：346.52 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
2N6038	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications.	CDIL CDIL
2N6038NPN	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications.	CDIL CDIL

产品属性

产品编号：
2N6038G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N6038G	onsemi(安森美)	23+	TO-225	1259	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2N6038G	ON	08+(pbfree)	TO-225	8866		询价
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深圳市华来深电子有限公司	2N6038G	ON	23+	TO-126	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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上海市鑫鸿达电子	2N6038G	ON Semiconductor	2022+		7	全新原装货期两周	询价
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更多2N6038G供应商更新时间2024-4-23 15:29:00

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