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2N6034	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General -Purpose Amplifier & Low Speed Switching Applications. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6034	文件：346.52 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：346.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6034	文件：137.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6037/6038/6039 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：137.49 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6034	文件：133.64 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. 文件：133.64 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6034	文件：104.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6037/6038/6039 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：104.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6034	文件：174.73 Kbytes Page：4 Pages	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS DESCRIPTION The 2N6037, 2N6038 and 2N6039 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec To-126 plastic package. The complementary PNP types are the 2N6034, 2N6035 and 2N6036 respectively. 文件：174.73 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6034	文件：106.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6034	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：133.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6034	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：85.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6034	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP medium power darlington transistor, 4A , 40V	ST 意法半导体	ST

晶体管资料

型号：
2N6034
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262,BD676,BD776,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N6034
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 40V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6034供应商更新时间2026-10-22 16:30:00

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