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2N5657G

Plastic NPN Silicon High?뭋oltage Power Transistor

文件:80.51 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5657G

Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistors

文件:129.139 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5657G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO126

ONSEMI

安森美半导体

2N5657

POWER TRANSISTORS NPN SILICON

These devices are designed for use in line−operated equipment such as audio output amplifiers; low−current, high−voltage converters; and AC line relays. Features • Excellent DC Current Gain − hFE = 30−250 @ IC = 100 mAdc • Current−Gain − Bandwidth Product − fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc • P

文件:176.71 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5657

SILICON NPN TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2N5657 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is intended for use output amplifiers, low current, high voltage converters and AC line relays. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR

文件:70.03 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2N5657

Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor

文件:89.27 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    2N5657G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    10V @ 100mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 100mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 350V 0.5A TO126

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
TO-225
1259
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ON
24+
TO-225
8866
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ON
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TO-126
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ON Semiconductor
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N/A
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ON
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ON/安森美
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TO-126
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ON/安森美
22+
TO-225
18000
原装正品
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ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多2N5657G供应商 更新时间2026-10-23 8:11:00