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2N6035	文件：113.74 Kbytes Page：8 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors Plastic Darlington complementary silicon power transistors are designed for general purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in • Pb−Free Pa 文件：113.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General -Purpose Amplifier & Low Speed Switching Applications. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6035	文件：346.52 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：346.52 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6035	文件：137.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6037/6038/6039 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：137.49 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6035	文件：133.64 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. 文件：133.64 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6035	文件：104.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2N6037/6038/6039 • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications 文件：104.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6035	文件：174.73 Kbytes Page：4 Pages	MIDIUM POWER DAR;OMGTONS DESCRIPTION The 2N6037, 2N6038 and 2N6039 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec To-126 plastic package. The complementary PNP types are the 2N6034, 2N6035 and 2N6036 respectively. 文件：174.73 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N6035	文件：106.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6035	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：85.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：133.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6035
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262,BD676,BD678,BD778,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
4
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
0.75
hFE Max (k)：
15
fT Min (MHz)：
25
Package Type：
TO-225-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昊创电子有限公司	2N6035	MOTOROLA/摩托罗拉		CAN4	1676	专营铁帽CANCDIP	询价
深圳市蓝山航业科技有限公司	2N6035	sgs	25+		500000	行业低价,代理渠道	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2N6035		22+	TO126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2N6035		23+	TO126	4000	正品原装货价格低	询价
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深圳市华来深电子有限公司	2N6035G	ON	23+	TO-126	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多2N6035供应商更新时间2026-1-17 14:31:00

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