| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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2N6035 | MIDIUM POWER DAR;OMGTONS DESCRIPTION The2N6037,2N6038and2N6039aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTo-126plasticpackage. ThecomplementaryPNPtypesarethe2N6034,2N6035and2N6036respectively. | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
2N6035 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors PlasticDarlingtoncomplementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125in •Pb−FreePa | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N6035 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6037/6038/6039 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  | |
2N6035 | SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications. | CDIL CDIL |  | |
2N6035 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION: 2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
2N6035 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N6037/6038/6039 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N6035 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6034,2N6037seriesdevicesarecomplementarysiliconDarlingtonpowertransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N6035 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
2N6035 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N6035 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DesignedforGeneral-PurposeAmplifier&LowSpeedSwitchingApplications. | CDIL CDIL | | ||
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
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Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
包装：管件 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD262,BD676,BD678,BD778,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-21
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
40
详细参数
- 型号：
2N6035
- 功能描述：
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
110 |
TO-225AA |
279 |
询价 | |||
360000 |
原厂原装 |
1305 |
询价 | ||||
ON |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
CAN4 |
1676 |
专营铁帽CANCDIP |
询价 | |||
ON/安森美 |
17+;19+ |
TO-126 |
50000 |
全新现货 |
询价 | ||
22+ |
TO126 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | |||
ONN |
1535+ |
2000 |
询价 | ||||
sgs |
22+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 |
