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2N6035	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.0 A，60 V，PNP 达林顿双极功率晶体管 The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • High DC Current Gain -hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc\n• Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdcVCEO(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6035, 2N6038VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6036, 2N6039\n• Forward Biased Second Breakdown Current CapabilityIS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc\n• Monolithic Construction with ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington	Central	Central
2N6035	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin TO-126 Box	NJS	NJS
2N6035PNP	文件：131.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Designed for General -Purpose Amplifier & Low Speed Switching Applications. 文件：131.7 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N6035_06	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：85.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035_08	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：133.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035G	文件：85.81 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：85.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035G	文件：150.3 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：150.3 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035G	文件：133.15 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：133.15 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6035G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6035
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262,BD676,BD678,BD778,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
4
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
0.75
hFE Max (k)：
15
fT Min (MHz)：
25
Package Type：
TO-225-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N6035供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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